Publikationen – 1998
am Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik
| Nr. | Name & Autoren | Links |
|---|---|---|
| 1
|
Focused ion beam written lateral field effect transistors on standard silicon wafers, C. Crell, H.–U. Schreiber, and A.D. Wieck, Microelectronic Enginineering 41/42, 253–256 (1998). |
|
| 2
|
Nanodevices produced with focused ion beams, U. Dötsch and A.D. Wieck, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 139, 1–8 (1998). |
|
| 3
|
Direct writing of active loads by focused ion beams, C. Wiemann, M. Versen, and A.D. Wieck, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2567–2569 (1998). |
|
| 4
|
Robustness of the quantum hall effect, sample size versus sample topology, and quality control management of III–V molecular beam epitaxy. R. D. Tscheuschner, S. Hoch, E. Leschinsky, C. Meier, S. Theis, and A. D. Wieck, International Journal of Modern Physics B 12, 1147–1170 (1998). |
|
| 5
|
Study of the hot spot of an in–plane gate transistor by scanning Joule expansion microscopy, J. Bolte, F. Niebisch, J. Pelzl, P. Stelmaszyk, and A.D. Wieck, Journal of Applied Physics 84, 6917–6921 (1998). |
- ¹ Sie benötigen einen eigenen Zugang zum Archiv des jeweiligen Magazins.
- ² Diese Links sind nur für den internen Gebrauch durch AFP Mitarbeiter. Zum Download sind interne Zugangsdaten erforderlich.
Die Größe der Jahreszahlen skaliert mit der Anzahl der Publikationen des Jahres. Diese ist zusätzlich in Klammern neben der Jahreszahl vermerkt.
Ein Klick auf die Jahreszahl führt Sie zur entsprechenden Liste der Publikationen
2013(1) 2012(23) 2011(39) 2010(42) 2009(19) 2008(49) 2007(26) 2006(47) 2005(29) 2004(26) 2003(21) 2002(25) 2001(18) 2000(16) 1999(6) 1998(5) 1997(1) 1996(5) 1995(6) 1994(2) 1993(6) 1992(6) 1991(5) 1990(10) 1989(7) 1988(4) 1987(3) 1986(0) 1985(2) 1984(3) 1983(1)