Publikationen – 2000
am Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik
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Novel photoconductive detector with buried FIB implanted p–doped stripe, M. Vitzethum, M. Ruff, P. Kiesel, S. Malzer, G.H. Dohler, J. Koch, and A.D. Wieck, Conference Digest. 2000 Conference on Lasers and Electro–Optics Europe (Cat. No. 00TH8505). IEEE, Piscataway, NJ, 1, U.S.A.(2000). |
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Increased mobility anisotropy in selectively doped AlxGa1–xAs/GaAs–heterostructures with high electron densities, D. Reuter, M. Versen, M.D. Schneider, and A.D. Wieck, Journal of Applied Physics 88, 321–325 (2000). |
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High electron and hole mobility Al0.3Ga0.7As heterostructures grown in the same standard MBE setup, A.D. Wieck and D. Reuter, Inst. Phys. Conf. Ser. No. 166, 51–54 (2000). |
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Ga+ Ion Beam Induced Compositional Intermixing in MBE grown AlxGa1–xAs/GaAs Quantum wells: Optimization of the Structural Parameters for low Dose Applications, S. Eshlaghi, D. Reuter, D. Suter, and A.D. Wieck, Inst. Phys. Conf. Ser. No. 166, 111–114 (2000). |
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Hot–Electron Effects in Two–Dimensional Hopping with a Large Localization Length, M.E. Gershenson, Yu. B. Khavin, D. Reuter, P.Schafmeister, and A.D. Wieck, Phys. Rev. Lett. 85, 1718–1721 (2000). |
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Nanoscale devices fabricated by direct machining of GaAs with an atomic force microscope, M. Versen, B. Klehn, U. Kunze, D. Reuter, and A.D. Wieck, Ultramicroscopy 82, 159–163 (2000). |
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Fabrication of a quantum point contact by the dynamic plowing technique and wet–chemical etching, S. Skaberna, M. Versen, B. Klehn, U. Kunze, D. Reuter, and A.D. Wieck, Ultramicroscopy 82, 153–157 (2000). |
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In–plane and perpendicular tunneling through InAs–quantum dots, K.H. Schmidt, M. Versen, C. Bock, U. Kunze and D. Reuter, A.D. Wieck, Physica E 7, 425–429 (2000). |
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A new peak in the bend resistance of a four–terminal device written by FIB implantation, D. Diaconescu, S. Hoch, Ch. Heidtkamp, C. Meier, D. Reuter, and A.D. Wieck, Physica B 284–288, 1906–1907 (2000). |
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Electron transport through a single InAs quantum dot, K.H. Schmidt, M. Versen, U. Kunze, D. Reuter, and A.D. Wieck Phys. Rev. B 62, 15879–15887 (2000). |
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Tunable backscattering in quantum hall systems induced by neighbouring gates, C. Heidtkamp, C. Meier, D. Reuter, M. Versen, S. Hoch, D. Diaconescu, and A.D.Wieck, Physica B 284–288, 1728–1729 (2000). |
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Dependence of the longitudinal resistance on edge potential and electron density in quantum Hall systems, C. Heidtkamp, S. Lassen, M. Schneider, D. Reuter, M. Versen, and A.D. Wieck, Physica B 284–288, 1726–1727 (2000). |
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In–plane–gate transistors for AMLCD, A.A.Murauski, S.Ye.Yakovenko, C.Crell, and A.D. Wieck, SID 00 Digest 31, 360–363 (2000). |
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Properties of in–plane–gate transistors for AMLCD, A.A. Murauski, S.Ye. Yakovenko, C. Crell, and A.D. Wieck, ASID'00 proceedings, 295 (2000). |
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Exciton and spin transport by surface acoustic waves in GaAs quantum wells, T. Sogawa, P. Santos, S.K. Zhang, S. Eshlaghi, A.D. Wieck, and K. Ploog ICPS 2000, Sept., Osaka, Japan (2000). |
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Topographie und elektrische Eigenschaften von InAs–Quantenpunkten, K.H. Schmidt, M. Versen, C. Bock, D. Reuter, A.D. Wieck, and U. Kunze, Materialwissenschaft und Werkstofftechnik 31, 1–8 (2000). |
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