Publikationen – 1996
am Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik
| Nr. | Name & Autoren | Links |
|---|---|---|
| 1
|
Lateral electron depletion in focused–ion–beam implanted pseudomorphic heterostructures with InxGa1–xAs channels, D.K. de Vries, H. Künzel, K. Häusler, K.H. Ploog, and A.D. Wieck, Proc. of the 7th International Conference on Modulated Semiconductors Structures, Madrid, Solid–State Electronics 40, 637–640 (1996). |
|
| 2
|
In–plane–gate transistors on non–epitaxial silicon directly written by focused–ion–beam implantation, C. Crell, K.Wieczorek, H.–U. Schreiber, and A.D. Wieck, Appl. Phys. Lett. 68, 2538–2540 (1996). |
|
| 3
|
Intrinsic and extrinsic capacitances of in–plane–gated transistors, D.K. de Vries, P. Stelmaszyk, and A.D. Wieck, J. Appl. Phys. 79, 8087–8090 (1996). |
|
| 4
|
Markt & Technik, Die Wochenzeitung für Elektronik und Informationstechnik, IPG–Transistoren – Eine Alternative zu CMOS? Nr. 17 vom 26.4.96, Seite 37–40 |
|
| 5
|
Quantum ballistic transport in in–plane–gate transistors showing onset of a novel ferromagnetic phase transition, R.D. Tscheuschner and A.D. Wieck, Superlattices and Microstructures 20, No. 4, 615–622 (1996). |
- ¹ Sie benötigen einen eigenen Zugang zum Archiv des jeweiligen Magazins.
- ² Diese Links sind nur für den internen Gebrauch durch AFP Mitarbeiter. Zum Download sind interne Zugangsdaten erforderlich.
Die Größe der Jahreszahlen skaliert mit der Anzahl der Publikationen des Jahres. Diese ist zusätzlich in Klammern neben der Jahreszahl vermerkt.
Ein Klick auf die Jahreszahl führt Sie zur entsprechenden Liste der Publikationen
2013(1) 2012(23) 2011(39) 2010(42) 2009(19) 2008(49) 2007(26) 2006(47) 2005(29) 2004(26) 2003(21) 2002(25) 2001(18) 2000(16) 1999(6) 1998(5) 1997(1) 1996(5) 1995(6) 1994(2) 1993(6) 1992(6) 1991(5) 1990(10) 1989(7) 1988(4) 1987(3) 1986(0) 1985(2) 1984(3) 1983(1)