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Lehrstuhl für Anorganische Chemie II
Chemical Vapor Deposition
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Chemische Dampfabscheidung
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Metallorganische Chemische Dampfabscheidung
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Die für CVD geeigneten Stoffe bzw. Moleküle werden Vorläufer genannt (engl. precursor), denn das endgültige Material der Beschichtung entsteht ja erst daraus.
Für solche Precursor gilt: Sie müssen verdampfbar und in höchster Reinheit verfügbar sein.
Die chemischen Reaktionen, die zur Schichtbildung führen, müssen sehr selektiv sein, d. h. es dürfen keinerlei unerwünschte oder gar störende Atome in die Schicht gelangen. Wir erforschen diese Prozesse.
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Metallorganische Verbindungen haben daher ein besonderes Potenzial für CVD, denn die Ligandumgebung um die zentralen Metallatome bietet interessante Ansatzpunkte für ein Engineering des CVD-Prozeß auf molekularer Ebene: man spricht dann von MOCVD.
Es gibt Firmen, die sich auf Precursor für die Mikroelektronik spezialisiert haben. Unsere Arbeitsgruppe betreibt die zugehörige precursorchemische Grundlagenforschung und arbeitet mit internationalen Partnern zusammen.
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Weitere Informationen
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Derzeit interessieren wir uns vor allem für Nitrid-Materialien, z.B. für neuartige Halbleiter wie Galliumnitrid, oder für metallische Nitride wie Hafniumnitrid und Tantalnitrid, die als Diffusionsbarrieren oder Gate-Elektroden für die CMOS-Technologie relevant sind. Hier arbeiten wir u.a. mit dem Fraunhofer Institut für Integrierte Systeme und Bauelemente-Technologie in Erlangen zusammen. Die Precursor entwickeln wir gemeinsam mit der Firma H.C. Starck. Im Bereich oxidischer Materialien, z.B. Hafniumoxid, kooperieren wir mit der Firma AIXTRON und der Arbeitsgruppe von Frau Jun. Prof. Dr. A. Devi.
Jobs&Themen
JP. Dr. A. Devi
Dr. R. Schmid
Fraunhofer
H.C.Starck
Wacker Siltronics
AIXTRON
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