Group Devi - Chemistry of Inorganic Materials

SFB-TR 87

Sonderforschungsbereich-Transregio 87



Gepulste Hochleistungsplasmen zur Synthese nanostrukurierter Funktionsschichten

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COST: CELINA

European Cooperation in Science and Technology


Chemistry for ELectron-Induced NAnofabrication

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Highlights

Hafniumoxid bringt den Durchbruch AG der RUB entwickelt neuartige Verbindung Preis im Erfinderwettbewerb

Dem Wunsch der Computerindustrie nach immer kleineren Transistoren steht die Wirklichkeit des Isoliermaterials gegenüber: Seit über 45 Jahren isoliert die Halbleiterindustrie Transistoren mit einer Dünnschicht nicht leitendem (dielektrischem) Siliziumdioxid (SiO2), bei dessen minimal möglicher Schichtdicke von rund 1,4 nm allerdings Leckströme auftreten können. Alternativen zu SiO2 fehlten.

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